福建提拉法生长YbYAG晶体研发

室温下YbYAG的上转换荧光光谱，此荧光归因于Yb3+离子的“合作”发光和Yb3+离子到稀土杂质离子的能量转移。测试了YbYAG晶体的X射线荧光，发光峰对应于电荷迁移态到Yb3+离子的基态，激光态间的跃迁。研究了Cr，YbYAG晶体的荧光光谱，讨论了Cr4+激光输出的可能性。YbYAG晶体比NdYAG晶体更适用于产生和放大具有Hz量级重复频率的高脉冲能量激光。在相同的半导体泵浦功率下，Yb:YAG泵浦生热为Nd:YAG的三分之一，就够很容易的被InGaAs半导体激光器所泵浦，是一种适合LD泵浦的高平均功率和高光束质量的发射1um左右波长的激光材料。YbYAG晶体能方便的用InGaAs二极管泵浦。福建提拉法生长YbYAG晶体研发

大芯层尺寸YbYAG晶体波导的设计，采用无胶键合(AFB)技术制备的晶体波导具有良好的模式限制作用。在考虑模式竞争的情况下，对晶体波导的单横模条件进行计算，得出在芯层材料为原子数分数为1%的YbYAG，内包层材料为原子数分数为0.5%的ErYAG中，芯层和内包层的单横模厚度范围。计算结果表明芯层厚度上限可以增大为传统计算结果的1.79倍，为同时实现大模场面积和单横模输出提供了理论支持。通过实验制备出芯层尺寸为320μm×400μm的大芯层尺寸YbYAG晶体波导，并将该晶体波导作为增益介质搭建了晶体波导激光器，得到了1030nm激光输出，其较高输出功率为26 W，斜率效率为31.5%，此时光束质量因子为Mx2=1。山东国产YbYAG晶体行情由于Yb3+离子掺杂引起的晶格结构畸变导致了YbYAG晶体光谱性质的改变。

高掺杂浓度YbYAG晶体的生长及光谱性能，应用中频感应提拉法生长了掺杂浓度高达50 at-%的YbYAG晶体，研究了室温下YbYAG晶体的吸收和发射光谱特性以及荧光寿命，在939 nm和969 nm处存在Yb3+离子的2个吸收带，能与InGaAs激光二极管(LD)有效耦合，适合激光管二极抽运。其荧光主峰位于1032 nm附近，YbYAG晶体的荧光寿命为390 μs。比较了高掺杂与低掺杂YbYAG晶体的光谱参数，指出高掺杂YbYAG晶体是一种很有前景的高功率激光增益介质。以上就是对YbYAG晶体的介绍。

提出采用离心成型工艺制备具有复合结构的YbYAG/YAG陶瓷坯体，可极大简化工艺，直接成型复合结构微片。探明复合结构陶瓷坯体的烧结致密化机理，研制完全致密透明的YbYAG/YAG多晶体的烧结技术。然后研究开发出光学性能优良、具有复合结构的YbYAG/YAG多晶微片激光晶体的先进制备技术。相关研究将对微片激光晶体及复合结构激光晶体的开发奠定理论和实践基础，具有重大的理论意义和广阔的应用前景。希望通过以上的一些相关的介绍能够对你有一些帮助。在相同的半导体泵浦功率下，Yb:YAG泵浦生热为Nd:YAG的三分之一。

真空气氛下生长出的YbYAG晶体因存在色心呈蓝绿色，1400℃退火后色心消失。对两种晶体进行晶体结构表征，结果表明晶体中无杂相、品质较好。腐蚀后形貌分析发现退火后晶体内应力释放、到达表面的位错增加，更易被腐蚀，表面粗糙度大、显微镜下腐蚀坑数量多。针对目前色心形成机理尚不明确的问题，探究900℃、1000℃、1100℃和1400℃不同温度退火5小时以及900℃下5小时、10小时、20小时、30小时和40小时不同退火时间对晶体光学性能的影响。结果表明近红外区域900nm~1050nm范围内三处吸收峰一直存在，为YbYAG本征吸收峰，不同条件下只强度发生变化。YbYAG晶体的优势光学品质优良。江西非复合YbYAG晶体生产

YAG晶体生长时，通常充入高纯度氮气或氩气等惰性气体，用来保护铱金坩埚不被氧化损耗。福建提拉法生长YbYAG晶体研发

本发明的技术解决方案如下一种YbYAG激光晶体的生长方法，所用的装置为感应加热提拉式单晶炉，其步骤包括按照YbYAG比例称量原料并混合均匀，置于铱坩埚中，装炉.下文是和YbYAG晶体相关的一些知识的介绍，如果感兴趣的就一起来看看吧，YbYAG激光晶体开裂的理论分析，采用提拉法，生长了Yb3+掺杂浓度为5at.%的YbYAG晶体，对晶体生长工艺进行了研究。较佳工艺参数：放肩和等径生长速率分别为0.Smm/h和1mm/h。转速为15rad/min，轴向温度梯度为0.01-0.05℃/mm。从理论上分析了生长速率、转速、热应力、晶体尺寸对晶体开裂的影响规律。福建提拉法生长YbYAG晶体研发

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